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基于水平三波导耦合器的硅基模式选择开关.pdfVIP

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  • 2023-06-21 发布于四川
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基于水平三波导耦合器的硅基模式选择开关.pdf

    本发明公开了一种基于水平三波导耦合器的硅基模式选择开关，包括衬底层，下包层和上覆盖层；在下包层上铺有左侧掺杂平板波导层和右侧掺杂平板波导层，左侧掺杂平板波导层上设有左侧电极和输入波导；右侧掺杂平板波导层上设有右侧电极和主干波导；采用基于ENZ‑ITO的水平MOS电容器，通过调整外加电压，调节ITO层的双载流子积聚层的浓度，达到快速相变来实现模式复用的状态转换，实现了高速开关转换，提高了光与物质互作用，为片上模式复用技术打下良好基础，进一步实现应用于模分复用网络的灵活模式路由，为实现光通信、光子系

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 110109268 A (43)申请公布日 2019.08.09 (21)申请号 20191

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