半导体装置、积层型半导体装置、密封后积层型半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-06-21 发布于四川
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半导体装置、积层型半导体装置、密封后积层型半导体装置.pdf

本发明是一种半导体装置,其具有半导体元件和与半导体元件电连接的半导体元件上金属焊盘和金属配线,金属配线与贯穿电极和焊料凸块电连接,其中,所述半导体装置,具有载置有半导体元件的第一绝缘层、形成于半导体元件上的第二绝缘层以及形成于第二绝缘层上的第三绝缘层;金属配线,在第二绝缘层的上表面,通过半导体元件上金属焊盘而与半导体元件电连接,并且自第二绝缘层的上表面贯穿第二绝缘层并在第二绝缘层的下表面与贯穿电极电连接;并且,在第一绝缘层与半导体元件之间配置有半导体元件下金属配线,半导体元件下金属配线,在第二绝

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 110176432 A (43)申请公布日 2019.08.27 (21)申

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