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半导体元件及其制备方法.pdfVIP

半导体元件及其制备方法.pdf

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    本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一第一半导体结构以及一第一连接结构，其中该第一连接结构具有一第一连接隔离层、两个第一导电层以及一第一多孔层，该第一连接隔离层位在该第一半导体结构上，所述两个第一导电层位在该第一连接隔离层中，该第一多孔层位在所述两个第一导电层之间。该第一多孔层的一孔隙率介于大约25％到大约100％之间。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363236 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110170758.X (22)申请日 2021.02.08 (30)优先权数据 16/809,76

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