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用于制造半导体器件的方法.pdfVIP

用于制造半导体器件的方法.pdf

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    用于制造半导体器件的方法包括在衬底上方形成第一鳍。该方法包括在第一鳍上形成伪栅极堆叠件。该方法包括沿着伪栅极堆叠件的侧形成第一栅极间隔件。第一栅极间隔件包括第一介电材料。该方法包括沿着第一栅极间隔件的侧形成第二栅极间隔件。第二栅极间隔件包括半导体材料。该方法包括在与第二栅极间隔件相邻的第一鳍中形成源极/漏极区域。该方法包括去除第二栅极间隔件的至少一部分以形成在第一栅极间隔件和源极/漏极区域之间延伸的空隙。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113380712 A (43)申请公布日 2021.09.10 (21)申请号 202110587513.7 (22)申请日 2021.05.27 (30)优先权数据 63/031,12

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