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半导体装置的制造方法.pdfVIP

半导体装置的制造方法.pdf

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    本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括：在第一介电层上形成导体层；在所述导体层中形成凹槽；进行第一蚀刻工艺，使所述凹槽的顶角圆角化；进行第二刻蚀工艺，移除所述凹槽的底面所裸露的所述导体层，以在所述导体层中形成具有圆顶角的开口；以及在所述开口中形成第二介电层。本公开实施例的半导体装置的制造方法可以避免金属线之间的微桥接，提升集成电路的信赖度。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363157 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 20201

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