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本发明公开了一种基于自对准工艺的条形沟槽结构GaN垂直肖特基二极管电学性能改善方法，采用标准光刻工艺在自支撑衬底GaN的正面制备光刻胶刻蚀掩膜；采用感应耦合等离子体ICP干法刻蚀工艺对自支撑衬底GaN进行对准标记刻蚀实验；采用电子束工艺在自支撑衬底GaN衬底的背面蒸镀Ti/Al/Ni/Au金属层并进行快速退火处理形成欧姆接触；采用光刻和电子束工艺在自支撑衬底GaN衬底正面制备条形金属Ni掩膜；再采用ICP干法刻蚀工艺在条形金属Ni掩膜上进行刻蚀，然后在自支撑衬底GaN正面注入Ar离子；最后在离子
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113380610 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202110616562.9
(22)申请日 2021.06.02
(71)申请人 西安交通大学
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