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2023-06-21 发布于四川
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包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法.pdf

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本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。所述方法包括在衬底上形成包括导体材料的导体层。在所述导体层上方形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠。所述堆叠包括其间具有水平拉长的沟槽的横向间隔开的存储器块区。沟道材料串延伸穿过所述第一层和所述第二层。所述第一层的材料具有与所述第二层的成分不同的成分。所述第一层的最低者厚于其上方的所述第一层。所述第一层材料选择性地相对于所述第二层材料进行各向同性蚀刻以在所述第一层中形成空隙空间。传导材料沉积到所述沟槽中并沉积到

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113345908 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202110221039.6 (22)申请日 2021.02.26 (30)优先权数据 16/807,38

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