- 7
- 0
- 约8.28千字
- 约 9页
- 2023-06-21 发布于四川
- 举报
本发明公开了一种正负向阈值电压均可调节的施密特触发器,包括PMOS晶体管组、NMOS晶体管组及反相器,第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管的输入端口均为输入信号IN、第三PMOS晶体管正向阈值电压调节信号ADP;第三NMOS晶体管的输入端口为负向阈值电压调节信号ADN,第二PMOS晶体管、第二NMOS晶体管的输出端口均为输出信号OUT。PMOS晶体管组、NMOS晶体管组的栅极输入端均与输入端口相连,PMOS晶体管组的源极和体连接电源VDD,NMOS晶体管组的源极和体连接地GND,所述PMOS晶
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113381739 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202110716046.3
(22)申请日 2021.06.25
(71)申请人 上海威固信息技术股份有限公司
您可能关注的文档
最近下载
- 黑龙江省同江市一起牛炭疽疫情的紧急流行病学调查 .pdf VIP
- 八年级上册道德与法治 第二单元-第六课-第一框 树立法治观念(新教材教学课件).pptx VIP
- 19CJ93-1:地下建筑防水构造(一).pdf VIP
- 现代无机化学:第一节-分子筛发展简史.pdf VIP
- 2026年机动车检测站授权签字人考试题库附答案内部题库.docx VIP
- 第四章雨水管道设计.ppt VIP
- 消防控制室值班操作手册(2026年修订版).docx VIP
- 工厂物料流转培训课件.ppt VIP
- 中国第三方消毒项目创业计划书.docx VIP
- 建筑工程图集 11SG619-4:房屋建筑抗震加固(四)(砌体结构住宅抗震加固).pdf VIP
原创力文档

文档评论(0)