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- 2023-06-21 发布于四川
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本发明涉及键合工艺技术领域，具体涉及一种键合结构、多晶圆三维集成结构及其制备方法。该结构包括叠放设置的上互连层、上保护层、键合介质层、下保护层和下互连层；上保护层中设置有贯通的上键合通道；键合介质层中设置有贯通的中键合通道；下保护层中设置有贯通的下键合通道；上键合通道、中键合通道和下键合通道组成的空间中设置有键合硅化物层；键合硅化物层分别接触连接上键合通道处的上互连层和下键合通道处的下互连层。本发明采用硅化物来填充键合介质层中的键合通道，使得能够通过退火处理实现良好的键合界面，减少了等离子体处理
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113380742 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202110523252.2
(22)申请日 2021.05.13
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
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