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- 2023-06-21 发布于四川
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本发明公开了一种键合半导体器件及其制备方法，键合半导体器件的制备方法包括：提供介质层，介质层包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，于介质层的第一表面形成凹槽；于凹槽的底部和侧壁形成第一金属层；于凹槽内填充第二金属层，以形成第一待键合晶圆；第一待键合晶圆以介质层的第一表面为键合面键合到第二待键合晶圆上，以形成键合半导体器件。解决了现有技术中键合界面没有生长在一起，键合界面有较多缺陷的技术问题，提高了器件的可靠性和稳定性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113380648 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202110523257.5
(22)申请日 2021.05.13
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
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