一种适配3D TLC型NAND闪存数据存储的双目标状态消除编解码方法.pdfVIP

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2023-06-21 发布于四川
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一种适配3D TLC型NAND闪存数据存储的双目标状态消除编解码方法.pdf

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本发明提出了一种适配3DTLC型NAND闪存数据存储的双目标状态消除编解码方法，通过编码器对胞元数据预处理，每个胞元内部均能够存储3比特信息，所述胞元共有8个状态N，将所述8个状态两两配对等分为4组，记为Gi；设其中一组GX为目标消除的双状态，将原始数据流按字线长度进行划分后，取4个胞元作为一个编码的码段，记录该4胞元码段中8种状态各自出现的个数num(N)，根据码段中的状态组合得到重映射编码方法；将重映射编码后的信息存储到闪存的不同块中；解码器根据标志位将4胞元码段重新映射为原始数据；本发明

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113342570 B (45)授权公告日 2022.03.08 (21)申请号 202110672534.9 G11C 29/42 (2006.01) (22)申请日

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