半导体器件和用于制造半导体器件的方法.pdfVIP

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2023-06-21 发布于四川
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半导体器件和用于制造半导体器件的方法.pdf

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公开了在FET器件的源极/漏极(S/D)区域之间具有核‑壳纳米结构化沟道区域的半导体器件的结构，以及制造半导体器件的方法。半导体器件包括：衬底；纳米结构化层的堆叠件，具有设置在衬底上的第一和第二纳米结构化区域；以及包裹第二纳米结构化区域的纳米结构化壳区域。纳米结构化壳区域和第二纳米结构化区域具有彼此不同的半导体材料。半导体器件还包括设置在衬底上的第一和第二源极/漏极(S/D)区域以及设置在第一和第二S/D区域之间的全环栅(GAA)结构。第一和第二S/D区域中的每个包括包裹每个第一纳米结构化区域的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113345890 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202011431818.0 (22)申请日 2020.12.07 (30)优先权数据

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