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有源矩阵基板具有多个像素区域，其包括基板、与各像素区域对应设置的像素TFT以及与像素TFT电连接的像素电极。像素TFT为具有氧化物半导体层、设置在氧化物半导体层之上的栅极绝缘层和以隔着栅极绝缘层与氧化物半导体层相对的方式配置的栅极的顶栅结构TFT。栅极绝缘层由氧化硅形成。栅极绝缘层包括与氧化物半导体层接触的下层和位于下层之上的上层。下层所含的氢相对于氮的原子数比即下层H/N比为1.5以上且5.0以下。上层所含的氢相对于氮的原子数比即上层H/N比为0.9以上且2.0以下。下层H/N比大于上层H/N
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113345914 A
(43)申请公布日 2021.09.03
(21)申请号 202110227439.8
(22)申请日 2021.03.01
(30)优先权数据
62/983792
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