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本发明公开一种硅基光探测器以及制备方法、电子设备,涉及硅基器件技术领域,用于提供一种结构简单、光响应度和量子效率较高的硅基光探测器。包括:具有脊型顶层硅的SOI基底;其中,脊型顶层硅包括基部以及形成在所述基部上的脊部;形成在脊部中的N型掺杂区,以及至少形成在基部中的P型掺杂区;其中,N型掺杂区包括N型重掺杂区以及形成在N型重掺杂区两侧的N阱,P型掺杂区包括P阱以及形成在P阱两侧的P型重掺杂区,且N型重掺杂区域与P阱之间形成有超浅结;形成在P型重掺杂区上的阳极,以及形成在N型重掺杂区上的阴极。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113380905 B
(45)授权公告日 2022.07.12
(21)申请号 202110502234.6 H01L 31/0216 (2014.01)
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