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2023-06-21 发布于四川
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本申请提供了一种半导体器件及其制造方法，在衬底上形成位于第一层间介质层中的第一器件，在第一层间介质层上形成第二器件，第二器件包括源极、漏极、源极和漏极之间的沟道和与沟道连接的栅极，其中第二器件的源漏为金属锗硅化物，沟道为锗硅合金，第一器件和第二器件中至少包括一个存储器件和一个逻辑器件，形成覆盖第二器件的第二层间介质层，源漏为金属锗硅化物提高了源端载流子的发射效率，结合高迁移率锗硅沟道实现半导体器件高性能，且金属锗硅化物可在低温工艺下形成，避免了高温工艺影响器件的性能，由于在形成第二器件后才覆盖第

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363214 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110566379.2 H01L 21/8239 (2006.01)

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