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- 2023-06-21 发布于四川
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一种伪电阻电路及其级联电路，伪电阻电路包括晶体管M1，具有第一极、第二极和控制极；所述晶体管M1的第一极、第二极分别与所述第二端、第一端连接；与所述晶体管M1对应的偏置电压产生电路，其两端分别与所述晶体管M1的第一极、控制极连接，用于使得所述晶体管M1的第一极和控制极之间的偏置电压增大；晶体管M2，具有第一极、第二极和控制极；所述晶体管M2的第一极、第二极分别与所述第一端、第二端连接，所述晶体管M2第一极还与其控制极相连。本发明通过偏置电压产生电路VGEN来解决当前的伪电阻所存在的一些问题，例如
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113381728 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202110728621.1
(22)申请日 2021.06.29
(71)申请人 上海料聚微电子有限公司
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