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生长铝镓氮的方法.pdfVIP

生长铝镓氮的方法.pdf

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    本发明公开了一种生长铝镓氮的方法，包括：在衬底上生长成核层；在生长成核层后的衬底上生长铝镓氮；其中，衬底为图形化蓝宝石衬底，成核层在图形化蓝宝石衬底的窗口区域进行三维生长，成核层未覆盖衬底的非窗口区域，铝镓氮在图形化蓝宝石衬底的非窗口区域以及成核层区域进行生长；本申请通过在图形化的蓝宝石衬底上低温生长成核层，控制成核层的生长区域，再生长铝镓氮，可以一次性生长较厚的铝镓氮而不出现裂纹，相较于现有技术来说，工序简单，生产效率高，同时，成本较低。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113345797 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202110601721.8 (22)申请日 2021.05.31 (71)申请人 中国科学院半导体研究所

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