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2023-06-21 发布于四川
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一种薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制备方法.pdf

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本发明公开了一种薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制备方法。薄膜晶体管包括：衬底；第一电极位于衬底的表面；层间绝缘层位于第一电极背离衬底一侧的表面，层间绝缘层背离第一电极的表面为平面，层间绝缘层设置有第一过孔；有源层位于层间绝缘层背离第一电极一侧的表面，有源层包括源区、漏区以及位于源区与漏区之间的沟道区；第一电极在衬底的投影面积覆盖沟道区在衬底的投影面积；栅极绝缘层和栅极层叠设置在有源层背离层间绝缘层一侧的表面；第一钝化层位于层间绝缘层背离第一电极一侧的表面，且延伸至有源层的表面；第二电极位于第一钝化层

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363328 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110625015.7 (22)申请日 2021.06.04 (71)申请人华南

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