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本发明提供了一种具有防过冲保护功能的PTAT电压产生电路。所述具有防过冲保护功能的PTAT电压产生电路包括：第一电流源、第二电流源、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、降压晶体管、及缓冲电容，所述降压晶体管的栅极连接至第三晶体管的栅极并连接至所述降压晶体管的源/漏极，源/漏极连接至所述第二电流源的第二端；所述缓冲电容第一端连接至所述第三晶体管的源/漏极，第二端连接至所述第三晶体管的栅极。防止所述PTAT电压产生电路的输出端电压因为电路的上电过程而瞬间升高电压导致电气过应力的问题而损坏芯片，并且能
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113342113 A
(43)申请公布日 2021.09.03
(21)申请号 202110713337.7
(22)申请日 2021.06.25
(71)申请人 上海料聚微电子有限公司
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