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晶体管栅极及其形成方法.pdfVIP

晶体管栅极及其形成方法.pdf

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    本公开涉及晶体管栅极及其形成方法。一种器件包括：第一纳米结构；第二纳米结构，第二纳米结构位于第一纳米结构之上；第一高k栅极电介质，第一高k栅极电介质围绕第一纳米结构设置；第二高k栅极电介质，第二高k栅极电介质围绕第二纳米结构设置；以及栅极电极，栅极电极位于第一高k栅极电介质和第二高k栅极电介质之上。栅极电极中位于第一纳米结构和第二纳米结构之间的部分包括填充第一高k栅极电介质和第二高k栅极电介质之间的区域的p型功函数金属的第一部分。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113345893 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202011389575.9 (22)申请日 2020.12.01 (30)优先权数据 63/038,97

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