一种基于Ni3(HHTP)2导电薄膜的场效应晶体管及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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一种基于Ni3(HHTP)2导电薄膜的场效应晶体管及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种基于Ni3(HHTP)2导电薄膜的场效应晶体管及其制备方法，将乙酸镍溶液的pH值调整为7.5～8.0，再加入六羟基三亚苯配体溶液混合搅拌，制得Ni3(HHTP)2反应前驱液；将包含源漏栅三端电极和沟道的场效应晶体管基底具有沟道的一面朝下，悬浮在所述Ni3(HHTP)2反应前驱液表面，以70～90℃静置反应2～5h，从而制得基于Ni3(HHTP)2导电薄膜的场效应晶体管。本发明能使导电薄膜与场效应晶体管的基底和源漏电极结合性良好，使场效应晶体管具有较高的载流子迁移率，而且操作简单、

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113437219 B (45)授权公告日 2022.04.26 (21)申请号 202110640935.6 H01L 51/05 (2006.01) (22