一种半导体装置.pdfVIP

一种半导体装置.pdf

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本发明提供一种半导体装置，本发明的半导体装置将金属半导体材料化合物设置在触发电极和半导体材料之间，通过隧穿效应实现触发开启下器件的导电，以此抑制MIS结构中沟道导通电阻，特别对于低反向阻断压降的MIS结构器件，可有效降低导通电阻，减少反向阻断下肖特基的漏电流，提高器件性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113410301 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 20201

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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