铜基石墨烯包覆结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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铜基石墨烯包覆结构及其制备方法.pdf

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本发明涉及铜基石墨烯包覆结构及其制备方法，本发明方法通过退火过程对铜基结构的晶体结构和表面成分调控改善，为后续石墨烯包覆提供催化基底，本发明方法以铜基结构作为基底，采用表面生长机制严格控制分解速率和成核密度，将石墨烯立体的包覆于铜基结构表面，完成双面叠加铜基石墨烯包覆结构的制备。本发明包覆结构能够在保持相同光学透过率的条件下提高电磁屏蔽性能，本发明制备的包覆结构表面均匀，具备透明电磁屏蔽功能，并且氧化腐蚀稳定性良好。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113412047 B (45)授权公告日 2022.02.22 (21)申请号 202110763037.X C01B 32/186 (2017.01) (22)申请日