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实施方式提供一种减少因切割引起的不良的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第1衬底及第2衬底，所述第1衬底包含：第1元件区域；第1外围区域，包围第1元件区域；第1绝缘体区域，设置在第1元件区域及第1外围区域，且在第1外围区域包含第1凹部；第1金属层，设置在第1元件区域；环形第1导电体，设置在第1外围区域的第1绝缘体区域中，且包围第1元件区域；所述第2衬底包含：第2元件区域；第2外围区域，包围第2元件区域；第2绝缘体区域，设置在第2元件区域及第2外围区域，在第2外围区域包含与第1凹部对向的第2凹部
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113437077 A
(43)申请公布日 2021.09.24
(21)申请号 202110059379.3 H01L 27/11573 (2017.01)
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