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场效晶体管、半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-22 发布于四川
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场效晶体管、半导体器件及其制造方法.pdf

    一种半导体器件包括晶体管及铁电隧道结。铁电隧道结连接到晶体管的漏极接触件。铁电隧道结包括第一电极、第二电极、结晶氧化物层及铁电层。第二电极设置在第一电极之上。结晶氧化物层与铁电层彼此直接接触地设置在第一电极与第二电极的中间。结晶氧化物层包含结晶氧化物材料。铁电层包含铁电材料。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394297 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110654840.X H01L 27/1159 (2017.01) (22)申请日

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