带ESD的功率器件结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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带ESD的功率器件结构及其制备方法.pdf

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本发明提供一种带ESD的功率器件结构及其制备方法。器件包括N型衬底、N型外延层，第一沟槽、第二沟槽、P型体区、P型有源区、N型有源区、介质层及金属电极，第一沟槽和第二沟槽在N型外延层内间隔分布，第一沟槽内包括栅氧化层和多晶硅ESD，且多晶硅ESD内形成有P型掺杂区；第二沟槽内包括栅氧化层和多晶硅栅极；P型体区位于各沟槽之间的N型外延层内；介质层覆盖第一沟槽、第二沟槽及P型体区；孔引出区位于介质层内，且与多晶硅ESD的P型掺杂区、P型有源区，第一沟槽及第二沟槽之间的P型体区内的N型有源区电接触；金

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113421829 B (45)授权公告日 2021.12.21 (21)申请号 202110965206.8 H01L 27/02 (2006.01)