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本发明涉及一种自支撑VO2薄膜及其制备方法和应用，所述自支撑VO2薄膜的制备方法，包括以下步骤：在基底上形成VO2薄膜，所述VO2薄膜厚度为20nm及以上，所述VO2薄膜具有多个纳米孔洞，单位面积内所述纳米孔洞个数为1个/μm2～3个/μm2，所述VO2薄膜中面积为500nm2～2500nm2的所述纳米孔洞的占比为90％及以上；以及采用刻蚀液将所述基底刻蚀。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113388812 B
(45)授权公告日 2022.08.12
(21)申请号 202110459285.5 C23C 14/58
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