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本申请公开了一种半导体器件的制造方法，该制造方法包括：在衬底上形成栅极结构；在衬底中形成掺杂区，掺杂区至少位于栅极结构的一侧；形成覆盖衬底与栅极结构的绝缘结构；去除绝缘结构的第一部分，以便于形成第一凹部，第一凹部自绝缘结构的表面向衬底延伸至第一预设深度且与掺杂区的位置对应；以及经第一凹部去除绝缘结构的第二部分，以便于形成贯穿绝缘结构的第一接触孔，至少部分掺杂区被第一接触孔暴露。通过分步去除绝缘结构的第一部分与第二部分形成了穿过绝缘结构的第一接触孔，降低了形成第一接触孔的工艺难度，使得第一接触孔不
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113394163 A
(43)申请公布日
2021.09.14
(21)申请号 20201
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