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用于半导体存储器装置的错误检查和擦除.pdfVIP

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  • 2023-06-22 发布于四川
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用于半导体存储器装置的错误检查和擦除.pdf

    本申请案涉及用于半导体存储器装置的错误检查和擦除。描述用于存储器装置(例如，DRAM)的包含结合刷新操作的错误检查和擦除ECS程序的方法、系统和设备。所述ECS程序可当在码字中检测到错误时包含读取/修改‑写入循环。在一些实施例中，所述存储器装置可在多个刷新命令内完成所述ECS程序，即通过在执行第一刷新命令时执行所述ECS程序的读取(或读取/修改)部分，以及通过在执行第二刷新命令时执行所述ECS程序的写入部分来完成所述ECS程序。本文中所描述的所述ECS程序可有助于避免可在所述ECS程序和其它存储

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113393890 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110219629.5 (22)申请日 2021.02.26 (30)优先权数据 16/816,02

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