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本发明公开了一种高K介质层修复方法，包括以下步骤：提供一衬底；在衬底上生长超薄界面层；在超薄界面层上沉积高K介质层；在预设温度下采用等离子氧化修复高K介质层；所述预设温度小于500摄氏度。本发明相对传统的高温快速热退火工艺，通过低温等离子氧化方法，低温能避免介质层内部分子热运动加剧，避免由于氧进入到界面处造成的界面层增厚度加。使界面形貌符合设计要求，避免影响器件性能；另一方面，低温环境下HfO2会保持无定形状态，不会发生晶化。本发明不仅可以对HfO2进行充分修复，同时可以防止界面层变厚和HfO2
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113394075 A
(43)申请公布日 2021.09.14
(21)申请号 202110504592.0
(22)申请日 2021.05.10
(71)申请人
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