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2023-06-22 发布于四川
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一种优化边缘灵敏度的EIT传感器设计方法.pdf

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本发明公开了一种优化边缘灵敏度的EIT传感器设计方法，首先将n个电极放置在距患者双眉往上3cm的水平面上，并在前额中心与后枕中心各自放置一个电极作为固定电极，将其余电极以间隔弧长放置；将此均匀电极排布作为初始电极位置对患者进行初始成像，根据成像所显示的病变所处区域的不同对电极位置进行优化，将全部电极分为两组，分别进行移动，记录并保存RS、BR值；根据RS与BR值固定靠近病变位置的电极组到最优位置，在删除一定的数据后再根据RS与BR值固定另一远离病变位置的电极组到最优位置。本发明有效提升了边缘位置

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113413149 A (43)申请公布日 2021.09.21 (21)申请号 202110660240.4 (22)申请日 2021.06.15 (71)申请人中国人民解放军空军军医大学

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