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- 2023-06-22 发布于四川
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本发明涉及一种碳化硅半导体结构和碳化硅半导体器件，包括：衬底，为第一导电类型；漂移层，为第一导电类型，位于所述衬底的一侧；第一源极和两个栅极沟槽，位于所述漂移层远离所述衬底的表面，两个栅极沟槽分别位于所述第一源极的两侧，每个栅极沟槽靠近所述第一源极的一侧包围设置有第一屏蔽区；所述第一屏蔽区为第二导电类型，两个所述第一屏蔽区间隔设置。本发明在每个栅极沟槽靠近第一源极的一侧包围设置有第二导电类型第一屏蔽区，改变栅极氧化物的电场分布，从而屏蔽栅极氧化物高电场使碳化硅半导体器件获得较高的击穿电压。此外，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113410284 A
(43)申请公布日 2021.09.17
(21)申请号 202110509862.7
(22)申请日 2021.05.11
(71)申请人 松山
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