半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

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一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，基底包括无效区和有效区，无效区上具有第一鳍部结构，有效区上具有第二鳍部结构；在无效区上形成横跨第一鳍部结构的第一伪栅极结构，且第一伪栅极结构位于第一鳍部结构的部分顶部表面和侧壁表面；在基底上形成覆盖第一鳍部结构和第二鳍部结构表面的介质层，且介质层暴露出第一伪栅极结构顶部表面；去除第一伪栅极结构，在无效区上的介质层内形成第一开口，第一开口底部暴露出第一鳍部结构的部分顶部表面和侧壁表面；去除所述第一开口底部暴露出的第一鳍部结构，在所述第一鳍部结构内

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394272 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 20201