JESD22-A101D温湿度偏压寿命.pdfVIP

A101C 稳态温度、湿度/偏压、寿命试验 1. 范围: 本测试方法用于评估非气密性封装 IC 器件在湿度环境下的可靠性.温度/湿度/偏压条件 应用于加速湿气的渗透,可通过外部保护材料(塑封料或封口),或在外部保护材料与金属 传导材料之间界面. 2. 设备 本测试要求一个温湿测试炉,能够维持一个规定的温度和相关的持续湿度, 同时在规 定的偏压电路来测试提供电子连接元件. 2.1 温度与相关的湿度 腔体必须能提供可控制温度和相关的湿度条件.在升或降过程. 2.2 应力下的元件 应力下的元件应固定, 温度的变化最小化。 2.3 污染最小化 必须小心选择板和插座材料, 以使释放的污染最小化, 以及因腐蚀或其他失效引起的 降级最小化. 2.4 离子污染 设备的离子污染(如测试板/插座/ 电线/储存容器/插件箱等)必须受控,避免影响测试 制品. 2.5 去离子水 必须使用室温下最小1M 欧.cm 的去离子水 3. 测试条件 测试条件包括温度,相关的湿度,和元件加偏压的时间 3.1 温度,相关的湿度和时间 温度干球 注1 相关的湿度 温度湿球 注2 压力 注3 时间 85+/-2 85+/-5 81.0 49.1psia 7.12kPa 见备注4 注1 公差应用于整个可用的测试区域. 注2 仅供参考 注3 测试条件应持续适用,除中间读数点.对中间读数点,元件应在4.5 规定时间内返回加压. 注4 典型为1000(-24,+168) 3.2 偏压指南 依以下指南,应用两个偏压的方法之一 A 最小化电源功率 B 选择尽可能多的金属脚加偏压 C 尽可能多通过芯片金属化加势差. D 在操作范围内最大电压 注上述的指南优先依赖于失效机理与规定的元件参数. E 两种方法,满足指南,选择更严厉方式 1)持续偏压: DC 偏压必须持续提供.当芯片温度比腔体温度低于10 度时,持续偏压比循环偏压 更严厉,或,如果芯片温度未知, 当试验下的元件热耗小于 200mV.如果热耗大于 200mV,则芯片 温度应计算.如果芯片温度超过腔体环境温度5 度, 因为失效机理的加速因子将受影响，那么 芯片温升必须包括在测试结果的报告中. 2)循环偏压: 作用于测试的元件上的DC 电压,采用合适的频率和占空比应被周期中断.如果偏 压电路导致超过腔体环境的温升大于 10C, ΔTja, 那么循环偏压比持续偏压更严厉, 当对规 定的元件类型优化时. 热作为功率的结果导致湿气从芯片上离开, 因此隐藏了与湿气相关的 失效机理.循环偏压当元件热耗不发生时,能让湿气在关状态时在芯片上积累.测试元件循环 偏压对大多数塑料封装微型电路来说,1 小时开1 小时关,优先考虑.芯片温度,作为已知热阻和 热耗基础上计算,应被结果报告引用,不管是否超出腔体的5 度或更多. 3.2.1 选择和报告 选择持续或循环偏压的标准,和是否报告温度超出腔体环境温度的量,总结如下表 ΔTja 循环偏压 报告 ΔTja 5 °C, or 否 否 Power per DUT 200 mW ( ΔTja ≥ 5 °C or 否 是 Power per DUT ≥ 200 mW), and ΔTja 10 °C ΔTja ≥ 10 °C 是 是 对大多数塑料封装微型电路来说,优先考虑 1 小时开1 小时关 4. 程序 测试元件必须采用如下方式固定，在规定的电气偏压下，暴露在规定温度和湿度条件下。必 须避免有极限的热、干燥环境或条件在元件和测试治具上冷凝到暴露元件上，特别是上升和 下降阶段。采取适当的注意，避免在应力条件下，有水滴到元件上。 4.1 上升 到达平稳温度和相关的湿度条件的时间应小于3 小时。 在所有时间内应避免在元件和或治具、硬件冷凝，保证他们的温