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本公开提供了一种三维存储器，包括键合至彼此的外围晶圆和阵列晶圆。阵列晶圆包括：待测试结构(TS)，具有第一连接端(112‑1)和第二连接端(112‑2)；以及多个互连部，包括：第一互连部(123‑1)，将第一触点(116‑1)与第一连接端(112‑1)电连接，其中，第一触点(116‑1)连接至阵列晶圆的衬底中的第一阱区(115‑1)；第二互连部(123‑2)，连接至第二触点(116‑2)，其中，第二触点(116‑2)连接至衬底中的第二阱区(115‑2)；第三互连部(123‑3)，一端与外围晶圆(
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113555352 B
(45)授权公告日 2022.08.26
(21)申请号 202110820397.9 H01L 23/485 (2006.01)
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