一种多芯片并联的功率模块的封装结构及封装方法.pdfVIP

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2023-06-23 发布于四川
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一种多芯片并联的功率模块的封装结构及封装方法.pdf

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本发明公开了一种多芯片并联的功率模块的封装结构及封装方法，可以应用在硅功率模块以及碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体功率模块中；封装结构包括：散热基板，绝缘基板，附着于绝缘基板上的功率芯片、驱动电阻、热敏电阻，叠层绝缘块和解耦电容，键合线，灌封胶，外壳及端子；该结构通过解耦电容，为各并联的功率芯片提供了相同长度的动态换流回路，且将端子电感动态解耦，从而降低了并联的功率芯片在开关过程中的动态电流差异和关断过程中的电压尖峰；功率开关管芯片的驱动信号线采用Kelvin连接方式，增强了驱动的稳定性。本发明提供

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113497014 B (45)授权公告日 2022.06.07 (21)申请号 202010204449.5 H01L 21/98 (2006.01)