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本发明提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置(10)具备腔室(11)、气体供给源(44)、天线(54)以及多个保持部(55)。腔室(11)在内部具有空间，利用在空间内生成的等离子体对被搬入到空间内的半导体晶圆(W)进行处理。气体供给源(44)向腔室(11)的空间内供给处理气体。天线(54)具有卷绕两圈以上的线路(540)，通过由在线路(540)中流动的电流在腔室(11)的空间内形成的感应电场来在空间内生成等离子体。各个保持部(55)保持天线(54)的线路(540)。另外，保持部(55)以与相
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113451100 A
(43)申请公布日 2021.09.28
(21)申请号 202110597509.9 H01L 21/3065 (2006.01)
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