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本发明涉及一种基于纳米森林的MEMS超级电容及其制备方法。按照本发明提供的技术方案，所述基于纳米森林的MEMS超级电容，包括电容基底、与所述电容基底适配的纳米森林结构以及与纳米森林结构适配连接的电容单元体，所述电容单元体包括依次淀积设置在纳米森林结构内的下电极层、电容介质层以及上电极层，上电极层与下电极层间通过电容介质层绝缘隔离；下电极层与电容基底欧姆接触，通过下电极层与电容基底配合能得到MEMS电容的下电极；通过上电极层以及与所述上电极层电连接的上电极引出单元能形成MEMS电容的上电极。本发明
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113555228 B
(45)授权公告日 2022.06.24
(21)申请号 202110825193.4 审查员 李慧
(22)申请日 2021.07.21
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