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2023-06-23 发布于四川
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本申请公开绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，其中，绝缘栅双极型晶体管的制备方法包括：提供一衬底单晶；在所述衬底单晶两侧分别形成扩散层，所述扩散层由杂质原子经退火扩散入所述衬底单晶形成，所述衬底单晶与所述扩散层的掺杂类型相同；在一侧所述扩散层形成体区，所述体区与所述扩散层的掺杂类型相反；在所述体区形成发射极区，所述体区位于所述扩散层和所述发射极区之间，所述发射极区与所述扩散层掺杂类型相同。通过采用退火扩散的方法将杂质原子扩散入单晶衬底形成扩散层，扩散层的原子掺杂浓度单调降低、且变化缓慢，扩散层与体区

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113451399 A (43)申请公布日 2021.09.28 (21)申请号 202110613105.4 H01L 21/331 (2006.01) (22)申请日

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