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本公开提供了一种增强侧面光强的发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管芯片的衬底的第二表面上布置有多个尖刺结构，第二表面为与第一表面相对的一面，所述尖刺结构为直角三棱柱，所述直角三棱柱包括第一棱柱面和第二棱柱面，所述第一棱柱面垂直于所述第二表面，所述第二棱柱面连接所述第一棱柱面和所述第二表面，且所述第二棱柱面与所述第二表面之间的夹角为θ，0°＜θ≤90°，每个所述直角三棱柱的所述第二棱柱面均朝向所述衬底的中心线。采用该发光二极管芯片可以增强侧面光强。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113517378 B
(45)授权公告日 2022.06.17
(21)申请号 202110540609.8 (56)对比文件
(22)申请日 2021.05.18
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