一种无机柔性和塑性半导体单晶InSe材料及其制备方法和应用.pdfVIP

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2023-06-23 发布于四川
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一种无机柔性和塑性半导体单晶InSe材料及其制备方法和应用.pdf

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本发明公开一种无机柔性和塑性半导体单晶InSe材料及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：（1）分别称量In和Se的高纯颗粒作为初始原料，其中In和Se的摩尔比为47:53~53:47；（2）将所述初始原料真空封装，在摇摆炉中升温至熔融温度600‑900℃并保温0.5‑5小时后冷却，得到多晶棒；（3）将多晶棒真空封装，放置在位于三温区立式布里奇曼炉上部的高温区，以0.5‑3mm/h的速度下降并经过温度梯度为5‑20℃/cm的梯度区，随后进入位于三温区立式布里奇曼炉下部的低温区，待晶体生长完

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113493924 B (45)授权公告日 2022.07.12 (21)申请号 202010259005.1 C30B 33/02 (2006.01) (22)申请日 2020.04