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本发明提供一种半导体结构的制备方法、半导体生长设备，半导体生长设备包括：反应室；生长主管道，所述生长主管道的一端与所述反应室连接；放空主管道；第一混合主管道至第M混合主管道，M为大于或等于1的整数；第一反应气源组至第N反应气源组，N为大于或等于2的整数;第一切换阀组至第N切换阀组，第k切换阀组适于控制第k反应气源组中的气体向第j混合主管道的传输；k为大于等于1且小于等于N的整数；j为大于等于1且小于等于M的整数；第一生长放空切换阀至第M生长放空切换阀，第j生长放空切换阀适于将第j混合主管道中的气
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113502460 B
(45)授权公告日 2021.12.03
(21)申请号 202111053526.2 (51)Int.Cl.
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