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本发明公开了一种具有超晶格纳米线结构GaN光电阴极的制备方法。该制备方法包括：对衬底的选用、生长在衬底上的缓冲层的厚度设计与生长、超晶格纳米线结构GaN电子发射层的设计与生长、以及位于电子发射层上激活层的制备。对于超晶格结构，本发明采用AlGaN/GaN超晶格，AlGaN与GaN材料以几十个纳米的薄层交替生长并保持严格周期性形成多层膜结构，即形成了AlGaN/GaN超晶格。完成超晶格GaN电子发射层的生长后，本发明采用反应离子刻蚀和等离子耦合刻蚀的方法来制备超晶格GaN纳米线结构。该具有超晶格纳
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113451088 A
(43)申请公布日 2021.09.28
(21)申请号 202110575267.3
(22)申请日 2021.05.25
(71)申请人 电子科技大学
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