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一种RGB外延结构及其制造方法与应用.pdfVIP

一种RGB外延结构及其制造方法与应用.pdf

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    本发明涉及一种RGB外延结构及其制造方法与应用，方法包括步骤：提供一衬底；在所述衬底上依次生长GaN缓冲层、第一未掺杂GaN层、第二未掺杂GaN层和n型GaN层；用钝化层作保护，经选择性刻蚀、生长，蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层阵列，在所述蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层上生长p型GaN接触层。通过直接衬底上生长蓝光LED外延结构、绿光LED外延结构和红光LED外延结构，获得的RGB外延结构制成的R、G、B芯片无需分离、无需巨量转移，可直接将一大片数万颗芯片键合到相

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113451449 A (43)申请公布日 2021.09.28 (21)申请号 20201

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