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2023-06-23 发布于四川
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半导体激光装置(200)具备以结倒置的方式来安装的半导体激光元件(100)，半导体激光元件(100)包括分离形成在基板(1)上的第1发光元件区域(81)和第2发光元件区域(82)。在半导体激光元件(100)，第1发光元件区域(81)和第2发光元件区域(82)分别具有以n型半导体层(2)、活性层(3)、p型半导体层(4)的顺序依次层叠的层叠结构体(500)。第1发光元件区域(81)具有被配置在n型半导体层(2)上的第1电极膜(10a)。第2发光元件区域(82)具有被p型半导体层(4)上的第2电极膜

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113454857 A (43)申请公布日 2021.09.28 (21)申请号 202080015701.6 (74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司

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