一种半导体结构及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-23 发布于四川
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一种半导体结构及其制造方法.pdf

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本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构的制造方法包括：在所述衬底上蚀刻多个沟槽，以将所述衬底区分为多个有源结构；在所述有源结构上由下而上形成第一掺杂区、栅极区和第二掺杂区；并在所述沟槽内沉积隔离结构；在隔离结构内依次沉积金属层和第一半导体层，以形成源极线；在所述隔离结构和所述有源结构上共用栅极，且所述共用栅极覆盖所述栅极区。通过本发明提供的一种半导体结构及其制造方法，改善半导体结构的短沟道效应。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113555318 B (45)授权公告日 2021.12.14 (21)申请号 202111103889.2 H01L 21/265 (2006.01)