FinFET器件的鳍片制作方法.pdfVIP

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一种FinFET器件的鳍片制作方法,包括以下步骤:步骤S1、在半导体衬底(100)上蚀刻出蚀刻槽(110),以使邻近两个蚀刻槽(110)之间形成鳍片(200);步骤S2、在蚀刻槽(110)中施布ODL(300),以使ODL(300)达到鳍片(200)的一定高度;步骤S3、采用氟基团对鳍片(200)的位于ODL(300)上方的部分进行干法腐蚀,以将鳍片(200)蚀刻成塔状。本发明的FinFET器件的鳍片制作方法设计新颖,实用性强。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113451121 A (43)申请公布日 2021.09.28 (21)申请号 20201

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