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本发明提出了一种GaSb基外延膜电学性能的测试方法,包括:S10,在GaSb衬底生长薄膜层后,在薄膜层上生长高掺层,获得测试样品;S20,将测试样品划片制样得到待测样品;S30,配置电解液,并将电解液装入电化学测试系统;S40,开启电化学测试系统,并进行配置设置;S50,对待测样品的两个电极加电压,获得测试曲线,选择测试参数,并输入预设测试配置值;S60,开始测试,电解液不断对待测样品进行腐蚀,通过实时测得的电压‑电容值计算得到对应位置的载流子类型和载流子浓度。采用以上方法可准确测试GaSb衬底
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116297774 A
(43)申请公布日 2023.06.23
(21)申请号 202211579701.6
(22)申请日 2022.12.09
(71)申请人 中国电子科技集团公司第十一研究
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