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存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-24 发布于四川
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存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法.pdf

    一种存储器阵列包括横向间隔开的存储器块，所述横向间隔开的存储器块单独地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层级和导电层级。存储器单元的沟道材料串延伸穿过所述绝缘层级和所述导电层级。虚拟支柱延伸穿过所述绝缘层级和所述导电层级。所述导电层级中的最下部导电层级包括导电材料和虚拟区材料，所述虚拟区材料在所述导电材料旁边且具有与所述导电材料不同的组合物。所述沟道材料串延伸穿过所述最下部导电层级的所述导电材料。所述虚拟支柱延伸穿过所述最下部导电层级的所述虚拟区材料。公开了其它实施例，包含方法。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116326236 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202180069228.4 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限

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