单晶材料的制备周大利.pptxVIP

单晶材料的制备周大利;目录; 前言;第4页/共123页;单晶的电子衍射谱;多晶的电子衍射谱; 在许多取向不同小晶粒的｛hkl｝晶面簇的晶面组均符合衍射条件时，则形成以入射束为轴和2θ为半角的衍射束构成的圆锥面，它与荧光屏或照相底板的交线，就是半径为R=Lλ/d的圆环，因此，多晶衍射谱的环形花样实际上是许多取向不同的小单晶的衍射谱的叠加。d值不同的｛hkl｝晶面簇，将产生不同的圆环，从而形成由不同半径同心圆环构成的多晶电子衍射谱。下图为金的多晶衍射谱。 ;性质均 匀 性： 晶体内部各个部分的宏观性质是相同的。 各向异性： 晶体中不同的方向上具有不同的物理性质。 固定熔点： 晶体具有周期性结构，熔化时，各部分需要同样的温度。 规则外形： 理想环境中生长的晶体应为凸多边形。 对 称 性： 晶体的理想外形和晶体内部结构都具有特定的对称性。;制备方法： 固相一固相平衡的晶体生长 液相一固相平衡的晶体生长 气相一固相平衡的晶体生长;优点 较低温度下生长 晶体的形状是预先固定，容易取向 缺点 难以控制成核以形成大晶粒;形变再结晶理论 应变退火及工艺设备 利用烧结体生长晶体;退火（annealing）;重（再）结晶退火(完全退火);再结晶：当退火温度足够高、时间足够长时，在变形金属或合金的显微组织中，产生无应变的新晶粒──再结晶核心。新晶粒不断长大，直至原来的变形组织完全消失,金属或合金的性能也发生显著变化,这一过程称为再结晶，通常也叫一次再结晶。 ;一次再结晶?? 一次再结晶后出现织构，晶粒取向差小，不利于晶界迁移；金属中含有较多杂质，特别是以第二相质点弥散于组织内，使晶界活动性显著下降； ;二次再结晶 再结晶完成后，正常的晶粒应是均匀的、连续的。但在某些情况下，晶粒的长大只是少数晶粒突发性地、迅速地粗化，使晶粒之间的尺寸差别越来越大。这种不正常的晶粒长大称为晶粒的反常长大。这种晶粒的不均匀长大就好像在再结晶后均匀细小的等轴晶粒中又重新发生了再结晶，所以称为二次再结晶。 ;应力概念;同截面垂直的称为正应力或法向应力，同??面相切的称为剪应力或切应力。应力会随着外力的增加而增长，对于某一种材料，应力的增长是有限度的，超过这一限度，材料就要破坏。对某种材料来说，应力可能达到的这个限度称为该种材料的极限应力。 ;无单位量单位应变概念; 当单元体各个面上的切应力都等于零，而只有正应力作用时，称该单元体为主单元体，它的各个面称为主平面，各主平面交线的方向称为主方向。沿主方向的线应变称为主应变。当外力卸除后，物体内部产生的应变能够全部恢复到原来状态的，称为弹性应变；如只能部分地恢复到原来状态，其残留下来的那一部分称为塑性应变。 ;再结晶驱动力;再结晶驱动力;再结晶驱动力; 材料在产生应变时，发生的自由能变化近似等于做功减去释放的热量。该能量通常就是应变退火再结晶的主要推动力。;再结晶驱动力; 退火的目的是加速消除应变，在退火期间晶粒的尺寸增加，一次再结晶的发生，可以通过升高温度而加速。;晶粒长大;晶粒长大;晶粒长大;晶粒长大; 事实上，晶粒间界具有与晶粒构成的方向以及界面相对于晶粒的方向有关的一些界面能σ值，晶界可以是大角度的或小角度的，并且可能包含着晶粒之间的扭转和倾斜。在生长晶体时，人们注意的是晶界迁移率。;晶粒长大;晶粒长大;晶粒长大;晶粒长大;晶粒长大; 用应变退火法生长非金属材料比生长金属晶体困难，其原因在于使非金属塑性变形很不容易，因此通常是利用晶粒大小差作为推动力，通常退火可提高晶粒尺度，即烧结。; 应变退火，包括应变和退火两个部分。对于金属构件，在加工成型过程本身就已有变形，刚好与晶体生长有关。;典型的金属构件 铸造件 锻造件 滚扎件 挤压件 拉拔丝;铸造件： 铸造件是把熔融金属（或无机材料熔体）注入铸模内，然后使其凝固，借助重力充满或者离心力使铸模充满，晶粒大小和取向取决于纯度，铸件的形状，冷却速度和冷热时的热交换 锻造件 锻造件会引起应变，还可以引起加工硬化。锻造件的应变一般是不均匀的，锻造件往往不仅仅是用于应变退火的原材料，而且还可用于晶体生长中使材料产生应变。;滚轧件 使用滚轧时，金属的变形要比用其他方法均匀，因而借助滚轧可以使材料产生应变和织构。 挤压件 挤压可以用来获得棒体和管类，相应的应变是不均匀的，因此，一般不用挤压来作为使晶粒长大的方法。 拉拔丝 拉拔过程一般用来制备金属丝，材料经受相当均匀的张应变，晶体生长中常用用这种方法引进应变。; 采用应变退火法可以方便地生长单相铝合金，即多组分系统固-固生长，由于不存在熔化现象，因此也不存在偏析，故单晶能保持原铸锭的成分，为了得到更好的再结晶，